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SQD50N10-8M9L_GE3  与  AUIRFR3710Z  区别

型号 SQD50N10-8M9L_GE3 AUIRFR3710Z
唯样编号 A-SQD50N10-8M9L_GE3 A-AUIRFR3710Z
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single N-Channel 100 V 140 W 69 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.99mΩ 18mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds 2V 100V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 56A
系列 SQD HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V 2930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥3.4938
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N10-8M9L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规

¥3.4938 

阶梯数 价格
2,000: ¥3.4938
0 当前型号
AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 6,000 对比
AOD296A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
TK33S10N1Z,LMMQ(O Toshiba 未分类

暂无价格 0 对比
FDD86367_F085 ON Semiconductor 通用MOSFET

100A(Tc) ±20V 227W(Tj) 4.2m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 80V 100A

暂无价格 0 对比
AUIRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比

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