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SQD50N04-5M6L_GE3  与  RD3G400GNTL  区别

型号 SQD50N04-5M6L_GE3 RD3G400GNTL
唯样编号 A-SQD50N04-5M6L_GE3 A-RD3G400GNTL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@20A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 71W 26W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.5mOhms@40A,10V
栅极电压Vgs ±20V 2.5V@1mA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak,SC-63 TO-252-3
连续漏极电流Id 50A(Tc) 40A(Ta)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150℃(TJ)
系列 SQD -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
电压 40V -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 19nC@10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N04-5M6L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) ±20V 5.6mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,DPak,SC-63 N-Channel 40V 71W 车规

暂无价格 0 当前型号
RD3G400GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 26W(Ta) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥4.6283
98 对比
RD3G400GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 26W(Ta) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

暂无价格 0 对比

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