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SQD19P06-60L_GE3  与  AUIRFR5305TR  区别

型号 SQD19P06-60L_GE3 AUIRFR5305TR
唯样编号 A-SQD19P06-60L_GE3 A-AUIRFR5305TR
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@-19A,-10V 65mΩ
上升时间 - 66ns
产品特性 车规 车规
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-252 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id -20A 3.1A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 63ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds -60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 46W(Tc) 110W
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 SQ -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1490pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 200,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥3.0171
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD19P06-60L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规

¥3.0171 

阶梯数 价格
2,000: ¥3.0171
200,000 当前型号
AUIRFR5305TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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