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SQ2303ES-T1_GE3  与  BSS315P H6327  区别

型号 SQ2303ES-T1_GE3 BSS315P H6327
唯样编号 A-SQ2303ES-T1_GE3 A-BSS315P H6327
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 370mΩ 113mΩ
上升时间 - 6.5ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - -2.3nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.7S
封装/外壳 SOT-23-3 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.5A 1.5A
配置 - Single
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 7.5ns
高度 1.45mm 1.10mm
漏源极电压Vds 1.5V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Tc) 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 14.3ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 SQ BSS315
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 5ns
库存与单价
库存 20 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2303ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 2.5A 370mΩ 1.5V 车规

暂无价格 20 当前型号
BSS315P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS315PH6327XTSA1_30V 1.5A 113mΩ 20V 500mW(1/2W) P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 3,000 对比

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