PJQ4460AP_R2_00001 与 RQ3L050GNTB 区别
| 型号 | PJQ4460AP_R2_00001 | RQ3L050GNTB | ||
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| 唯样编号 | A-PJQ4460AP_R2_00001 | A33-RQ3L050GNTB | ||
| 制造商 | Panjit | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 61mΩ@5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 14.8W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | DFN3333-8L | 8-PowerVDFN | ||
| 连续漏极电流Id | - | 12A(Tc) | ||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 300pF @ 30V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.8nC @ 4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 86 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJQ4460AP_R2_00001 | Panjit | 通用MOSFET |
DFN3333-8L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 12,177 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥3.3443
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥3.3443
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86 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥1.739
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0 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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