PJMF190N60E1_T0_00001 与 STW26NM60N 区别
| 型号 | PJMF190N60E1_T0_00001 | STW26NM60N | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJMF190N60E1_T0_00001 | A36-STW26NM60N | ||||||
| 制造商 | Panjit | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 600V SUPER JUNCITON MOSFET | Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 165mΩ@10A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 140W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | ITO-220AB-F | TO-247 | ||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 20A | ||||||
| 系列 | - | MDmesh™ II | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 50V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 4,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PJMF190N60E1_T0_00001 | Panjit | 通用MOSFET |
ITO-220AB-F |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
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STF22NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
16A 30W 220mΩ 650V 3V TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 96,500 | 对比 | ||||||||
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STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 19,800 | 对比 | ||||||||
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STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
￥7.238
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4,000 | 对比 | ||||||||
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STF22NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
16A 30W 220mΩ 650V 3V TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.159
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940 | 对比 | ||||||||
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IPA50R190CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
32W(Tc) 190mΩ 500V 18.5A TO-220 FullPAK N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 500 | 对比 |
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