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IDH20G65C5XKSA2  与  PCDP2065G1_T0_00001  区别

型号 IDH20G65C5XKSA2 PCDP2065G1_T0_00001
唯样编号 A-IDH20G65C5XKSA2 A-PCDP2065G1_T0_00001
制造商 Infineon Technologies Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTKY 650V 20A TO220-2-1 PCDP2065G1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 650V
不同If时电压-正向(Vf) 1.7V @ 20A -
不同 Vr、F时电容 590pF @ 1V,1MHz -
电流-平均整流(Io) 20A(DC) -
封装/外壳 TO-220-2 TO-220AC
反向漏电流Ir - 120uA
工作温度 - -55℃~175℃
反向峰值电压Vrrm - 650V
正向电压Vf - 1.7V
不同Vr时电流-反向泄漏 210uA @ 650V -
二极管类型 碳化硅肖特基 -
速度 无恢复时间 > 500mA(Io) -
正向电流If - 20A
正向浪涌电流Ifsm - 800A
工作温度-结 -55°C ~ 175°C -
反向恢复时间(trr) 0ns -
电压-DC反向(Vr)(最大值) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IDH20G65C5XKSA2 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

IDH20G65C5_null

暂无价格 0 当前型号
IDH20G65C5XKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
PCDP2065G1_T0_00001 Panjit  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比

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