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PJA3431_R1_00001  与  NDS332P  区别

型号 PJA3431_R1_00001 NDS332P
唯样编号 A-PJA3431_R1_00001 A-NDS332P
制造商 Panjit ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - SuperSOT
连续漏极电流Id - 1A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 195pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 195pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3431_R1_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 625mW(Ta) 600mΩ@610mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 0.9A

¥0.7799 

阶梯数 价格
70: ¥0.7799
200: ¥0.6344
1,500: ¥0.5772
3,000: ¥0.5395
38,729 对比
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

¥1.463 

阶梯数 价格
40: ¥1.463
100: ¥1.166
750: ¥1.045
1,500: ¥0.9867
2,720 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@610mA,4.5V P-Channel 20V 0.78A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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