SIR680DP-T1-RE3 与 FDMS86368_F085 区别
| 型号 | SIR680DP-T1-RE3 | FDMS86368_F085 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR680DP-T1-RE3 | A3t-FDMS86368_F085 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.9 mOhms @ 20A,10V | 4.5m Ohms@80A,10V |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) | 214W(Tc) |
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | Power |
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) | 80A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4350pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 75nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIR680DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
100A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 30 | 当前型号 | ||||
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FDMS86368_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
80A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.5m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 80V 80A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥25.2688
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7 | 对比 | ||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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