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PJL9416_R2_00001  与  IRF7831TRPBF  区别

型号 PJL9416_R2_00001 IRF7831TRPBF
唯样编号 A-PJL9416_R2_00001 A-IRF7831TRPBF
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@5A,4.5V 3.6mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP-8 8-SO
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 21A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6240pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6240pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 4.5V
库存与单价
库存 44 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJL9416_R2_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 N-Channel 6mΩ@5A,4.5V 2.1W -55℃~150℃ ±20V 30V 16A

暂无价格 44 当前型号
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SO-8 N-Channel 30V 20V 23A 3.1W 3.7mΩ@10V

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
100: ¥1.353
750: ¥1.21
1,500: ¥1.133
3,000: ¥1.078
31,241 对比
AO4354 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 23A 3.1W 3.7mΩ@10V

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±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO

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±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 3.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A 8-SO

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暂无价格 0 对比

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