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PJD60R390E_L2_00001  与  IPD60R400CE  区别

型号 PJD60R390E_L2_00001 IPD60R400CE
唯样编号 A-PJD60R390E_L2_00001 A-IPD60R400CE
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 400mΩ
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 600V
Rth - 1.5K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 - DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 10.3A
工作温度 - -40°C~150°C
Ptot max - 83.0W
QG - 32.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.29
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD60R390E_L2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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阶梯数 价格
30: ¥2.0691
2,500: ¥1.98
5,057 对比
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IPD60R400CEATMA1_400mΩ 600V 10.3A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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