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SQM60N06-15_GE3  与  STB60NF06LT4  区别

型号 SQM60N06-15_GE3 STB60NF06LT4
唯样编号 A-SQM60N06-15_GE3 A36-STB60NF06LT4
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
正向跨导-最小值 - 20 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@30A,10V
上升时间 - 220 ns
产品特性 车规 -
栅极电压Vgs - ±15V
封装/外壳 TO-263 D2PAK
工作温度 - -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 60A
配置 - Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
下降时间 - 30 ns
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 35 ns
库存与单价
库存 0 949
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
800+ :  ¥7.5688
8+ :  ¥7.0015
100+ :  ¥5.9252
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM60N06-15_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 车规

¥7.5688 

阶梯数 价格
800: ¥7.5688
0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.0015 

阶梯数 价格
8: ¥7.0015
100: ¥5.9252
949 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 125 对比
BUK7613-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 157W 175°C 3V 75V 75A

暂无价格 0 对比
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 对比

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