SQM60N06-15_GE3 与 STB60NF06LT4 区别
| 型号 | SQM60N06-15_GE3 | STB60NF06LT4 | ||||||
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| 唯样编号 | A-SQM60N06-15_GE3 | A36-STB60NF06LT4 | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 9.35 mm | ||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 20 S | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ@30A,10V | ||||||
| 上升时间 | - | 220 ns | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±15V | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK | ||||||
| 工作温度 | - | -65°C~175°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 长度 | - | 10.4 mm | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 5V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 30 ns | ||||||
| 高度 | - | 4.6 mm | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 110W(Tc) | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55 ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 系列 | - | STB | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2000pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 66nC @ 4.5V | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 35 ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 949 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SQM60N06-15_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 车规 |
¥7.5688
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0 | 当前型号 | ||||||
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
¥7.0015
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949 | 对比 | ||||||
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RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 125 | 对比 | ||||||
|
BUK7613-75B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 157W 175°C 3V 75V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |