SQM60N06-15_GE3 与 IRFS3806PBF 区别
| 型号 | SQM60N06-15_GE3 | IRFS3806PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM60N06-15_GE3 | A-IRFS3806PBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 71 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 15.8mΩ@25A,10V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 71W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 43A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1150pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1150pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQM60N06-15_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 车规 |
￥7.5688
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0 | 当前型号 | ||||
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RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 125 | 对比 | ||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3806PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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