首页 > 商品目录 > > > > PJL9836A_R2_00001代替型号比较

PJL9836A_R2_00001  与  IRF7351TRPBF  区别

型号 PJL9836A_R2_00001 IRF7351TRPBF
唯样编号 A-PJL9836A_R2_00001 A-IRF7351TRPBF
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 60 V 17.8 mOhm 36 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.8mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - 8-SO
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1330pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1330pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJL9836A_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
IRF7351TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.8mΩ@8A,10V 2W N-Channel 60V 8A 8-SO ±20V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售