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PJD45N06A-AU_L2_000A1  与  AUIRLR2905Z  区别

型号 PJD45N06A-AU_L2_000A1 AUIRLR2905Z
唯样编号 A-PJD45N06A-AU_L2_000A1 A-AUIRLR2905Z
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@36A,10V
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 60A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1570pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1570pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD45N06A-AU_L2_000A1 Panjit 功率MOSFET

车规

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR3806TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D-PAK(TO-252AA) 车规

暂无价格 0 对比
AUIRLR2905Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比

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