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PJD45N06A-AU_L2_000A1  与  AUIRFR3806TRL  区别

型号 PJD45N06A-AU_L2_000A1 AUIRFR3806TRL
唯样编号 A-PJD45N06A-AU_L2_000A1 A-AUIRFR3806TRL
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N Channel 60 V 15.8 mO 71 W Surface Mount Automotice HexFet MosFet -TO-252(DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15.8mΩ@25A,10V
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 71W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 43A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD45N06A-AU_L2_000A1 Panjit 功率MOSFET

车规

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR3806TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D-PAK(TO-252AA) 车规

暂无价格 0 对比
AUIRLR2905Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比

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