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PJQ4448P_R2_00001  与  RQ3G100GNTB  区别

型号 PJQ4448P_R2_00001 RQ3G100GNTB
唯样编号 A-PJQ4448P_R2_00001 A3-RQ3G100GNTB
制造商 Panjit ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.3mΩ@10A,10V
上升时间 - 4.2ns
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 8.4nC
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 23.1ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - HSMT
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - RQ
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 615pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 3.2ns
典型接通延迟时间 - 8ns
库存与单价
库存 0 110
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ4448P_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel

¥0.7292 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.7292
3,000 对比
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel

¥2.9227 

阶梯数 价格
60: ¥2.9227
100: ¥2.3573
300: ¥1.9836
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8495
2,980 对比
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel

¥2.9227 

阶梯数 价格
60: ¥2.9227
100: ¥2.3573
300: ¥1.9836
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8495
2,812 对比
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel

暂无价格 110 对比
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel

¥3.8334 

阶梯数 价格
1: ¥3.8334
100: ¥2.047
3,000: ¥1.48
17 对比

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