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PJL9602_R2_00001  与  SI4532CDY-T1-GE3  区别

型号 PJL9602_R2_00001 SI4532CDY-T1-GE3
唯样编号 A-PJL9602_R2_00001 A36-SI4532CDY-T1-GE3
制造商 Panjit Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-SOIC
连续漏极电流Id - 6A,4.3A
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs - 47 mOhms @ 3.5A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.78W
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N+P-Channel
库存与单价
库存 0 8,917
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.738
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.166
2,500+ :  ¥1.1
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJL9602_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
2,500: ¥1.1
8,917 对比
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
4,130 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9932
300: ¥1.6099
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.4757
3,000 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
200: ¥0.8833
1,500: ¥0.7678
3,000: ¥0.715
3,000 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9932
300: ¥1.6099
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.4757
2,812 对比

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