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PJL9602_R2_00001  与  QH8MA3TCR  区别

型号 PJL9602_R2_00001 QH8MA3TCR
唯样编号 A-PJL9602_R2_00001 A33-QH8MA3TCR-0
制造商 Panjit ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSMT8
连续漏极电流Id - 7A,5.5A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 29mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.5W
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.2nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N+P-Channel
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥2.5586
100+ :  ¥1.9932
300+ :  ¥1.6099
500+ :  ¥1.5332
1,000+ :  ¥1.4757
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PJL9602_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
2,500: ¥1.1
8,917 对比
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

28mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 7.1A,7.4A

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
4,130 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9932
300: ¥1.6099
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.4757
3,000 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
200: ¥0.8833
1,500: ¥0.7678
3,000: ¥0.715
3,000 对比
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9932
300: ¥1.6099
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.4757
2,812 对比

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