首页 > 商品目录 > > > > SQM120N06-06_GE3代替型号比较

SQM120N06-06_GE3  与  BUK966R5-60E,118  区别

型号 SQM120N06-06_GE3 BUK966R5-60E,118
唯样编号 A-SQM120N06-06_GE3 A36-BUK966R5-60E,118
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 BUK966R5-60E Series 60 V 5.9 mOhm N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 230W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6 毫欧 @ 30A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) - 182W
输出电容 - 439pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
连续漏极电流Id 120A(Tc) 75A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
输入电容 - 5172pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.9mΩ@10V,6.5mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6495pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 145nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM120N06-06_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60V 120A(Tc) ±20V 6 毫欧 @ 30A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263(D²Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 60V 75A

¥13.7506 

阶梯数 价格
1: ¥13.7506
100: ¥10.4171
400: ¥8.5386
800: ¥7.4249
160 对比
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

暂无价格 90 对比
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 60V 75A

暂无价格 0 对比
AUIRF3205ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 6.5mΩ 20V 170W N-Channel TO-263-3 55V 车规

暂无价格 0 对比
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售