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SQM120N06-06_GE3  与  AUIRF3205ZSTRL  区别

型号 SQM120N06-06_GE3 AUIRF3205ZSTRL
唯样编号 A-SQM120N06-06_GE3 A-AUIRF3205ZSTRL
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 230W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6 毫欧 @ 30A,10V 6.5mΩ
上升时间 - 95ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 76nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 71S
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 120A(Tc) 44A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 67ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6495pF @ 25V 3450pF @ 25V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) - 170W
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 18ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 145nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM120N06-06_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60V 120A(Tc) ±20V 6 毫欧 @ 30A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263(D²Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 车规

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100: ¥10.4171
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