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PJA3430_R1_00001  与  DMN2300U-7  区别

型号 PJA3430_R1_00001 DMN2300U-7
唯样编号 A-PJA3430_R1_00001 A3-DMN2300U-7
制造商 Panjit Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.25W 0.55W
上升时间 - 2.8ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Qg-栅极电荷 - 1.6nC
栅极电压Vgs ±8V 450mV
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A 1.4A
系列 - DMN22
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 3.5ns
导通电阻Rds(On) 400mΩ@0.5A,1.8V 175mΩ
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3430_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

SOT-23 N-Channel 400mΩ@0.5A,1.8V 1.25W -55°C~150°C ±8V 20V 2A

暂无价格 0 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.2765
750: ¥1.0653
1,500: ¥0.9676
3,000: ¥0.8976
14,900 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.0224 

阶梯数 价格
50: ¥1.0224
200: ¥0.786
1,500: ¥0.684
3,000: ¥0.636
5,718 对比
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.4A 0.55W 175mΩ 20V 450mV

暂无价格 3,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

暂无价格 100 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥0.9483 

阶梯数 价格
60: ¥0.9483
62 对比

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