首页 > 商品目录 > > > > PJQ5866A-AU_R2_000A1代替型号比较

PJQ5866A-AU_R2_000A1  与  IPG20N06S4L11ATMA1  区别

型号 PJQ5866A-AU_R2_000A1 IPG20N06S4L11ATMA1
唯样编号 A-PJQ5866A-AU_R2_000A1 A-IPG20N06S4L11ATMA1
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DFN5060B-8L,VDS=60V,VGS=±20V,PD=68.2W MOSFET 2N-CH 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10A,4.5V -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 车规
功率-最大值 - 65W
Pd-功率耗散(Max) 68.2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4020pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel 2 N-通道(双)
封装/外壳 DFN5060B-8L 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C~175°C -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 28uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.2 毫欧 @ 17A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

DFN5060B-8L N-Channel 68.2W 20mΩ@10A,4.5V -55°C~175°C ±20V 60V 40A 车规

暂无价格 15,000 当前型号
NVMFD5C680NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN 车规

暂无价格 6,000 对比
NVMFD5C680NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN 车规

¥8.437 

阶梯数 价格
6: ¥8.437
100: ¥7.271
750: ¥6.941
1,497 对比
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L-11_2 N-通道(双) 8-PowerVDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IPG20N06S4L-11 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L11ATMA1_60V 20A 11.2mΩ 16V 65W 2N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
IPG20N06S2L-35A Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S2L35AATMA1_55V 20A SSO8 (PG-TDSON8) N-Channel 35mΩ 1.2V,2.2V 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售