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PJQ5866A-AU_R2_000A1  与  IPG20N06S2L-35A  区别

型号 PJQ5866A-AU_R2_000A1 IPG20N06S2L-35A
唯样编号 A-PJQ5866A-AU_R2_000A1 A-IPG20N06S2L-35A
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DFN5060B-8L,VDS=60V,VGS=±20V,PD=68.2W
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10A,4.5V 35mΩ
漏源极电压Vds 60V 55V
产品特性 车规 车规
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 68.2W -
栅极电压Vgs ±20V 1.2V,2.2V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN5060B-8L SSO8 (PG-TDSON8)
工作温度 -55°C~175°C -
连续漏极电流Id 40A 20A
RthJC max - 2.3 K/W
QG (typ @10V) - 18.0 nC
Ptot max - 65.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.42
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

DFN5060B-8L N-Channel 68.2W 20mΩ@10A,4.5V -55°C~175°C ±20V 60V 40A 车规

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¥8.437 

阶梯数 价格
6: ¥8.437
100: ¥7.271
750: ¥6.941
1,497 对比
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