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SQM110N05-06L_GE3  与  IRFS3307ZPBF  区别

型号 SQM110N05-06L_GE3 IRFS3307ZPBF
唯样编号 A-SQM110N05-06L_GE3 A-IRFS3307ZPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 230 W 79 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 230W(Tc)
功率 157W(Tc) -
漏源极电压Vds 55V 75V
产品特性 车规 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 110A(Tc) 120A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4440pF @ 25V 4750pF @ 50V
导通电阻Rds(On) 6 毫欧 @ 30A,10V 5.8mΩ@75A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM110N05-06L_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 55V 110A(Tc) ±20V 6 毫欧 @ 30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263(D2Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V 158W 175°C 2.3V 55V 100A

¥24.5313 

阶梯数 价格
5: ¥24.5313
100: ¥18.1713
400: ¥13.4602
800: ¥11.7045
90 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 75V 75A

¥21.9934 

阶梯数 价格
800: ¥21.9934
0 对比
IRFS3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.3mΩ@10V 300W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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