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PCDP2065G1_T0_00001  与  IDH20G65C5XKSA2  区别

型号 PCDP2065G1_T0_00001 IDH20G65C5XKSA2
唯样编号 A-PCDP2065G1_T0_00001 A-IDH20G65C5XKSA2
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管
描述 PCDP2065G1 DIODE SCHOTKY 650V 20A TO220-2-1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr 650V -
不同If时电压-正向(Vf) - 1.7V @ 20A
不同 Vr、F时电容 - 590pF @ 1V,1MHz
电流-平均整流(Io) - 20A(DC)
封装/外壳 TO-220AC TO-220-2
反向漏电流Ir 120uA -
工作温度 -55℃~175℃ -
反向峰值电压Vrrm 650V -
正向电压Vf 1.7V -
正向电流If 20A -
不同Vr时电流-反向泄漏 - 210uA @ 650V
二极管类型 - 碳化硅肖特基
速度 - 无恢复时间 > 500mA(Io)
正向浪涌电流Ifsm 800A -
工作温度-结 - -55°C ~ 175°C
反向恢复时间(trr) - 0ns
电压-DC反向(Vr)(最大值) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PCDP2065G1_T0_00001 Panjit  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 当前型号
IDH20G65C5XKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
IDH20G65C5XKSA2 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

IDH20G65C5_null

暂无价格 0 对比
IDH20G65C6 Infineon SBD肖特基二极管

IDH20G65C6XKSA1_SOT-23 99A 650V 650V 20A 1.35V 67uA -55℃~175℃

暂无价格 0 对比

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