首页 > 商品目录 > > > PCDP2065G1_T0_00001代替型号比较

PCDP2065G1_T0_00001  与  IDH20G65C6  区别

型号 PCDP2065G1_T0_00001 IDH20G65C6
唯样编号 A-PCDP2065G1_T0_00001 A-IDH20G65C6
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC肖特基二极管 SBD肖特基二极管
描述 PCDP2065G1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220AC SOT-23
反向漏电流Ir 120uA 67uA
反向电压Vr 650V 650V
工作温度 -55℃~175℃ -55℃~175℃
反向峰值电压Vrrm 650V 650V
正向电压Vf 1.7V 1.35V
正向电流If 20A 20A
正向浪涌电流Ifsm 800A 99A
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PCDP2065G1_T0_00001 Panjit  数据手册 SiC肖特基二极管

null

暂无价格 0 当前型号
IDH20G65C5XKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

null

暂无价格 0 对比
IDH20G65C5XKSA2 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

IDH20G65C5_null

暂无价格 0 对比
IDH20G65C6 Infineon SBD肖特基二极管

IDH20G65C6XKSA1_SOT-23 99A 650V 650V 20A 1.35V 67uA -55℃~175℃

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售