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PJQ4401P_R2_00001  与  AONR21321  区别

型号 PJQ4401P_R2_00001 AONR21321
唯样编号 A-PJQ4401P_R2_00001 A36-AONR21321
制造商 Panjit AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DFN3333-8L DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id - -24A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.5mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds - -30V
Pd-功率耗散(Max) - 24W
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 14,606
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.155
100+ :  ¥0.8921
1,250+ :  ¥0.7436
2,500+ :  ¥0.6765
5,000+ :  ¥0.627
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ4401P_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

DFN3333-8L

暂无价格 0 当前型号
DMP3017SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 11.5A 2.2W 10mΩ 30V 1V

¥1.3794 

阶梯数 价格
40: ¥1.3794
50: ¥1.0659
2,000: ¥0.9823
45,974 对比
AONR21357 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -34A 30W 7.8mΩ@10V

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.254
1,250: ¥1.122
2,500: ¥1.0571
5,000: ¥1.001
39,444 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel

¥1.76 

阶梯数 价格
30: ¥1.76
100: ¥1.408
750: ¥1.254
1,500: ¥1.188
3,000: ¥1.122
32,513 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel

¥4.705 

阶梯数 价格
40: ¥4.705
50: ¥4.0822
100: ¥3.4785
300: ¥3.0856
500: ¥3.0089
1,000: ¥2.9418
4,000: ¥2.9035
5,000: ¥2.8939
23,995 对比
AONR21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V ±25V -24A 24W 16.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.155 

阶梯数 价格
50: ¥1.155
100: ¥0.8921
1,250: ¥0.7436
2,500: ¥0.6765
5,000: ¥0.627
14,606 对比

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