PJQ4401P_R2_00001 与 RQ3E120ATTB 区别
| 型号 | PJQ4401P_R2_00001 | RQ3E120ATTB | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PJQ4401P_R2_00001 | A33-RQ3E120ATTB-0 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Panjit | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 宽度 | - | 2.4mm | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8mΩ@-12A,-10V | ||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 30ns | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 39V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 140ns | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN3333-8L | HSMT | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||||||||||||||
| 系列 | - | RQ | ||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3200pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 长度 | - | 3mm | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 62nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 95ns | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||||||||||||||
| 高度 | - | 0.85mm | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 23,995 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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PJQ4401P_R2_00001 | Panjit | 功率MOSFET |
DFN3333-8L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||||||
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DMP3017SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 11.5A 2.2W 10mΩ 30V 1V |
￥1.3794
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45,974 | 对比 | ||||||||||||||||||
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AONR21357 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -34A 30W 7.8mΩ@10V |
￥1.562
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39,444 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥1.76
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32,513 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.705
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23,995 | 对比 | ||||||||||||||||||
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AONR21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V ±25V -24A 24W 16.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.155
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14,606 | 对比 |
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