SQM40N10-30_GE3 与 FQB55N10TM 区别
| 型号 | SQM40N10-30_GE3 | FQB55N10TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQM40N10-30_GE3 | A3t-FQB55N10TM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型-N-通道-100V-40A（Tc）-107W（Tc）-TO-263（D2Pak） | N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 107W(Tc) | 3.75W(Ta),155W(Tc) |
| 功率 | - | 3.75W(Ta),155W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 栅极电压Vgs(th) | 3.5V @ 250?A | - |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | - |
| FET 类型 | N-Channel | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 输入电容Ciss | 3345pF @ 25V | - |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 55A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V |
| 栅极电荷Qg | 62nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 30mΩ@15A,10V | 26 毫欧 @ 27.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2730pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQM40N10-30_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 40A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 30mΩ@15A,10V 100V 107W(Tc) ±20V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FQB55N10TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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