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PJD80N03_L2_00001  与  IRLR8726TRPBF  区别

型号 PJD80N03_L2_00001 IRLR8726TRPBF
唯样编号 A-PJD80N03_L2_00001 A-IRLR8726TRPBF
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 75W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - DPAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 86A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2150pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.83
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD80N03_L2_00001 Panjit 功率MOSFET

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3,000: ¥0.83
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