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PJD80N03_L2_00001  与  STD86N3LH5  区别

型号 PJD80N03_L2_00001 STD86N3LH5
唯样编号 A-PJD80N03_L2_00001 A-STD86N3LH5
制造商 Panjit STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5mΩ
上升时间 - 14 ns
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 70W(Tc)
70 W - Pd - 功率消耗
标准包装数量 - 2500
栅极电压Vgs - 22V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - DPAK
工作温度 - 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
系列 - STripFET™ V
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
标准断开延迟时间 - 23.6 ns
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1850pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
下降时间 - 10.8 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.83
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