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PJT7600_R1_00001  与  US6M11TR  区别

型号 PJT7600_R1_00001 US6M11TR
唯样编号 A-PJT7600_R1_00001 A36-US6M11TR
制造商 Panjit ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 US6M11 Series N/ P-Channel 20 V/12 V 1 W 600 mOhm Drive MosFet SMT - TUMT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180mΩ@1.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V,-20V 20V/12V
Pd-功率耗散(Max) 350mW 1W
栅极电压Vgs ±8V,±8V ±10V,±10V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SOT-363 TUMT
连续漏极电流Id 1A,-0.7A 1.5A,1.3A
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.8nC @ 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 150mΩ@1A,4.5V -
库存与单价
库存 0 424
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.5125
40+ :  ¥1.4569
200+ :  ¥1.1212
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJT7600_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel SOT-363 ±8V,±8V 350mW 20V,-20V 1A,-0.7A -55°C~150°C

¥0.5125 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5125
0 当前型号
US6M11TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V

¥2.3477 

阶梯数 价格
70: ¥2.3477
100: ¥2.0411
300: ¥1.6386
500: ¥1.562
1,000: ¥1.5045
4,000: ¥1.4566
10,000: ¥1.447
32,000 对比
US6M11TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V

暂无价格 12,100 对比
US6M11TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V

¥2.3477 

阶梯数 价格
70: ¥2.3477
100: ¥2.0411
300: ¥1.6386
500: ¥1.562
1,000: ¥1.5045
1,864 对比
US6M11TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V

¥1.4569 

阶梯数 价格
40: ¥1.4569
200: ¥1.1212
424 对比
US6M11TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V

暂无价格 200 对比

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