PJT7600_R1_00001 与 US6M11TR 区别
| 型号 | PJT7600_R1_00001 | US6M11TR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PJT7600_R1_00001 | A33-US6M11TR | ||||||||||||
| 制造商 | Panjit | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | US6M11 Series N/ P-Channel 20 V/12 V 1 W 600 mOhm Drive MosFet SMT - TUMT-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 180mΩ@1.5A,4.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V,-20V | 20V/12V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW | 1W | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V,±8V | ±10V,±10V | ||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TUMT | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1A,-0.7A | 1.5A,1.3A | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 10V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.8nC @ 4.5V | ||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 150mΩ@1A,4.5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,864 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PJT7600_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel SOT-363 ±8V,±8V 350mW 20V,-20V 1A,-0.7A -55°C~150°C |
￥0.5125
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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US6M11TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V |
￥2.3477
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32,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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US6M11TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V |
暂无价格 | 12,100 | 对比 | ||||||||||||||||
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US6M11TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V |
￥2.3477
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1,864 | 对比 | ||||||||||||||||
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US6M11TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V |
￥1.4569
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424 | 对比 | ||||||||||||||||
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US6M11TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N+P-Channel 20V/12V 1.5A,1.3A ±10V,±10V |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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