BUK9Y4R4-40E,115 与 SQJ422EP-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK9Y4R4-40E,115 | SQJ422EP-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK9Y4R4-40E,115 | A-SQJ422EP-T1_GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 | N-CH 40-V PPAK SO-8L |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 147W | 83W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 40V | 2V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 输出电容 | 422pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT669 | PowerPak-6 |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 75A |
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 | 3058pF | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4660pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 100nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 3.7mΩ@25A,10V | 3.4mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 105 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK9Y4R4-40E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 3.7mΩ@25A,10V 147W -55°C~175°C ±10V 40V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 105 | 对比 |
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SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |