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BUK9Y4R4-40E,115  与  SQJ422EP-T1_GE3  区别

型号 BUK9Y4R4-40E,115 SQJ422EP-T1_GE3
唯样编号 A-BUK9Y4R4-40E,115 A-SQJ422EP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 N-CH 40-V PPAK SO-8L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 147W 83W(Tc)
漏源极电压Vds 40V 2V
产品特性 - 车规
输出电容 422pF -
栅极电压Vgs ±10V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 PowerPak-6
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 75A
系列 - 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 3058pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4660pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 3.7mΩ@25A,10V 3.4mΩ
库存与单价
库存 0 105
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9Y4R4-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 3.7mΩ@25A,10V 147W -55°C~175°C ±10V 40V 100A

暂无价格 0 当前型号
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规

暂无价格 3,000 对比
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规

暂无价格 105 对比
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak-6 N-Channel 75A 3.4mΩ 2V 车规

暂无价格 0 对比

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