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BUK7Y53-100B,115  与  SQJ190ELP-T1_GE3  区别

型号 BUK7Y53-100B,115 SQJ190ELP-T1_GE3
唯样编号 A-BUK7Y53-100B,115 A3t-SQJ190ELP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 BUK7Y53 Series 100 V 24.8 A 0.053 Ohms N-Ch TrenchMOS Standard Level FET - LFPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175°C -
连续漏极电流Id 24.8A -
漏源极电压Vds 100V -
输入电容 1100pF -
Pd-功率耗散(Max) 85W -
Rds On(max)@Id,Vgs 53mΩ@10V -
输出电容 142pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7Y53-100B,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 85W 175°C 3V 100V 24.8A

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SQJ190ELP-T1_GE3 Vishay 未分类

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