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BUK9Y15-100E,115  与  SQJ402EP-T1_GE3  区别

型号 BUK9Y15-100E,115 SQJ402EP-T1_GE3
唯样编号 A-BUK9Y15-100E,115 A-SQJ402EP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56 SQJ402EP Series 100 V 32 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 195W 83W(Tc)
漏源极电压Vds 100V 2V
产品特性 - 车规
输出电容 269pF -
栅极电压Vgs ±10V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 SO-8L-4
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 69A 32A
系列 - 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 4604pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2289pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 14.7mΩ@20A,10V 11mΩ
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥16.3203
100+ :  ¥12.0891
750+ :  ¥8.9549
1,500+ :  ¥7.7869
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9Y15-100E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A

¥16.3203 

阶梯数 价格
5: ¥16.3203
100: ¥12.0891
750: ¥8.9549
1,500: ¥7.7869
20 当前型号
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规

暂无价格 0 对比
SQJ402EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规

暂无价格 0 对比

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