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SQD50N06-09L_GE3  与  AOD2610  区别

型号 SQD50N06-09L_GE3 AOD2610
唯样编号 A-SQD50N06-09L_GE3 A-AOD2610
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型-N-通道-60V-50A(Tc)-136W(Tc)-TO-252-(D-Pak)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@20A,10V 10.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 71.5W
栅极电压Vgs(th) 2.5V @ 250?A -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V -
FET 类型 N-Channel -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO252
输入电容Ciss 3065pF @ 25V -
连续漏极电流Id 50A(Tc) 46A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - AOD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2410pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
栅极电荷Qg 72nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 55 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N06-09L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 50A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@20A,10V 60V 136W(Tc) ±20V 车规

暂无价格 55 当前型号
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.584
1,250: ¥1.375
2,500: ¥1.298
20,169 对比
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W

暂无价格 0 对比
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.2005 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.2005
0 对比
IRFR7746TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11.2mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比
IPD079N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C 60V 50A 7.9mΩ@50A,10V ±20V 79W N-Channel TO-252-3

暂无价格 0 对比

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