SQD50N06-09L_GE3 与 IPD079N06L3 G 区别
| 型号 | SQD50N06-09L_GE3 | IPD079N06L3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQD50N06-09L_GE3 | A-IPD079N06L3 G |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型-N-通道-60V-50A（Tc）-136W（Tc）-TO-252-（D-Pak） | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@20A,10V | 7.9mΩ@50A,10V |
| 上升时间 | - | 26ns |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 29nC |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | - |
| FET 类型 | N-Channel | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 36S |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 50A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4900pF @ 30V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 34µA |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 136W(Tc) | 79W |
| 栅极电压Vgs(th) | 2.5V @ 250?A | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 37ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 输入电容Ciss | 3065pF @ 25V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 栅极电荷Qg | 72nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 55 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD50N06-09L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 50A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@20A,10V 60V 136W(Tc) ±20V 车规 |
暂无价格 | 55 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.046
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20,169 | 对比 | ||||||||||
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AOD2610 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.2005
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0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR7746TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11.2mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD079N06L3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C 60V 50A 7.9mΩ@50A,10V ±20V 79W N-Channel TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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