SQS484ENW-T1_GE3 与 NVTFS4C13NWFTAG 区别
| 型号 | SQS484ENW-T1_GE3 | NVTFS4C13NWFTAG |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQS484ENW-T1_GE3 | A3t-NVTFS4C13NWFTAG |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ@10A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 62.5W | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 16A(Tc) ±20V 62.5W 8mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 车规 |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
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NVTFS4C13NWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NVTFS4C13NWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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