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PJQ5462A_R2_00001  与  BSC067N06LS3 G  区别

型号 PJQ5462A_R2_00001 BSC067N06LS3 G
唯样编号 A-PJQ5462A_R2_00001 A-BSC067N06LS3 G
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.7mΩ
上升时间 - 26ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 69W
Qg-栅极电荷 - 67nC
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 38S
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN5060-8L PG-TDSON-8
连续漏极电流Id - 50A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
通道数 Single -
Rds On(max)@Id,Vgs 15mΩ@4.5V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ5462A_R2_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

N-Channel DFN5060-8L 20V

暂无价格 0 当前型号
BSC067N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 50A 6.7mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8

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