PJT7801_R1_00001 与 NTJD4152PT1G 区别
| 型号 | PJT7801_R1_00001 | NTJD4152PT1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PJT7801_R1_00001 | A36-NTJD4152PT1G | ||||||||
| 制造商 | Panjit | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | -0.88A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 260mΩ@880mA,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | -20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 272mW | ||||||||
| 通道数 | Dual | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 325mΩ@4.5V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 8V | ±12V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PJT7801_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel SOT-363 8V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
￥0.704
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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