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PJT7801_R1_00001  与  NTJD4152PT1G  区别

型号 PJT7801_R1_00001 NTJD4152PT1G
唯样编号 A-PJT7801_R1_00001 A-NTJD4152PT1G
制造商 Panjit ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - -0.88A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 260mΩ@880mA,4.5V
漏源极电压Vds - -20V
Pd-功率耗散(Max) - 272mW
通道数 Dual -
Rds On(max)@Id,Vgs 325mΩ@4.5V -
栅极电压Vgs 8V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJT7801_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

P-Channel SOT-363 8V

暂无价格 0 当前型号
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

¥0.704 

阶梯数 价格
80: ¥0.704
200: ¥0.5746
1,500: ¥0.5213
3,000: ¥0.4875
3,000 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

暂无价格 0 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

暂无价格 0 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A

暂无价格 0 对比

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