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FCPF850N80Z  与  AOTF10N60L_002  区别

型号 FCPF850N80Z AOTF10N60L_002
唯样编号 A-FCPF850N80Z A-AOTF10N60L_002
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V 750 mΩ @ 5A,10V
上升时间 10 ns -
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 28.4W(Tc) 50W(Tc)
Pd - 功率消耗 28.4 W -
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3F
连续漏极电流Id 6A(Tc) 10A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 Single -
Ciss - 输入电容 990 pF -
标准断开延迟时间 40 ns -
最低工作温度 - 55 C -
栅极电荷Qg - 40nC @ 10V
最高工作温度 + 150 C -
Qg - 闸极充电 22 nC -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 4.5 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF850N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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