PJD25N10A_L2_00001 与 RSD201N10TL 区别
| 型号 | PJD25N10A_L2_00001 | RSD201N10TL | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJD25N10A_L2_00001 | A33-RSD201N10TL-0 | ||
| 制造商 | Panjit | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | - | 850mW(Ta),20W(Tc) | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2100pF @ 25V | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||
| FET类型 | P-Channel | N 通道 | ||
| 封装/外壳 | TO-252AA | CPT3 | ||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 46 毫欧 @ 20A,10V | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 通道数 | Single | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 20A(Tc) | ||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 55mΩ@4.5V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | ||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 55nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 20 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PJD25N10A_L2_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel TO-252AA 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RD3P200SNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥8.3272
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2,395 | 对比 | |||||||||||||||||
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RSD201N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥8.6242
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20 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD201N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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