PJD16N06A_L2_00001 与 IRFR4105TRPBF 区别
| 型号 | PJD16N06A_L2_00001 | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJD16N06A_L2_00001 | A-IRFR4105TRPBF |
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 45mΩ@16A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 68W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252AA | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 27A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 10V |
| 通道数 | Single | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 60mΩ@4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJD16N06A_L2_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel TO-252AA 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFR4105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@16A,10V N-Channel 55V 27A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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