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PJD50N10AL-AU_L2_000A1  与  PJD50N10AL_L2_00001  区别

型号 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL_L2_00001
唯样编号 A-PJD50N10AL-AU_L2_000A1 A-PJD50N10AL_L2_00001
制造商 Panjit Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak,SC-63
工作温度 -55℃~150℃ -
连续漏极电流Id 42A -
漏源极电压Vds 100V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
Rds On(max)@Id,Vgs 28.5mΩ@15A,4.5V -
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 15,020 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥2.35
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA 20V N-Channel 83W -55℃~150℃ 100V 42A 车规

¥2.35 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.35
15,020 当前型号
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PJD50N10AL_L2_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 对比

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