DMN6075S-7 与 PJA3460_R1_00001 区别
| 型号 | DMN6075S-7 | PJA3460_R1_00001 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN6075S-7 | A-PJA3460_R1_00001 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Panjit |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@3.2A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 800mW(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 2.5A | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 606pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12.3nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 通道数 | - | Single |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 75mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PJA3460_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 20V 2.5V SOT-23 |
暂无价格 | 100 | 对比 |
|
IRLML0060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
