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PJA3415_R1_00001  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 PJA3415_R1_00001 IRLML6401TRPBF
唯样编号 A-PJA3415_R1_00001 A-IRLML6401TRPBF
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 12V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 4.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 57mΩ@4A,4.5V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJA3415_R1_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 12V P-Channel 1.25W -55°C~150°C 20V 4A

暂无价格 0 当前型号
DMP2305U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 1.4W 60mΩ 20V 500mV P-Channel

¥0.3536 

阶梯数 价格
150: ¥0.3536
200: ¥0.2625
1,500: ¥0.2295
3,000: ¥0.201
193,656 对比
NTR2101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A

¥0.704 

阶梯数 价格
80: ¥0.704
200: ¥0.5746
1,500: ¥0.5213
3,000: ¥0.4875
8,907 对比
PMV65XPEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XPEA_SOT23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -3.3A 车规

¥0.5819 

阶梯数 价格
90: ¥0.5819
200: ¥0.4745
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.403
5,815 对比
PMV65XPEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XPEA_SOT23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -3.3A 车规

¥1.6795 

阶梯数 价格
1: ¥1.6795
100: ¥1.2723
1,000: ¥0.994
1,500: ¥0.8147
3,000: ¥0.7085
3,140 对比
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23

暂无价格 3,000 对比

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