SQJ402EP-T1_GE3 与 BUK9Y19-100E,115 区别
| 型号 | SQJ402EP-T1_GE3 | BUK9Y19-100E,115 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SQJ402EP-T1_GE3 | A-BUK9Y19-100E,115 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | SQJ402EP Series 100 V 32 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8L | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 83W(Tc) | 167W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 2V | 100V | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 输出电容 | - | 222pF | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±10V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8L-4 | SOT669 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 32A | 56A | ||||||||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2289pF @ 40V | - | ||||||||
| 输入电容 | - | 3814pF | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ | 18mΩ@15A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 118 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 83W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 N-Channel 32A 11mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A |
¥2.8613
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A |
¥4.1789
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A |
¥4.26
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1,500 | 对比 | ||||||||||
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BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 18mΩ@15A,10V 167W -55°C~175°C ±10V 100V 56A |
¥12.062
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118 | 对比 | ||||||||||
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BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 14.7mΩ@20A,10V 195W -55°C~175°C ±10V 100V 69A |
¥16.3203
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20 | 对比 |